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日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀

日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀

產(chǎn)品型號: EC-80P

所屬分類:其他設備

產(chǎn)品時間:2024-09-07

簡要描述:日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀EC-80P
只需觸摸手持式探頭即可測量電阻。
在電阻/薄層電阻測量模式之間輕松切換
使用JOG撥盤輕松設置測量條件
連接到連接器的可更換電阻測量探頭可支持多種電阻
(電阻探頭:多可以使用2 + PN判斷探頭)

詳細說明:

日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀EC-80P

產(chǎn)品特點

  • 只需觸摸手持式探頭即可測量電阻。
  • 在電阻/薄層電阻測量模式之間輕松切換
  • 使用JOG撥盤輕松設置測量條件
  • 連接到連接器的可更換電阻測量探頭可支持多種電阻
  • (電阻探頭:多可以使用2 + PN判斷探頭)

測量規(guī)格

測量目標

半導體/太陽能電池相關(guān)材料(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
硅基外延,離子與
半導體相關(guān)的進樣樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請與我們聯(lián)系)

測量尺寸

無論樣品的大小和形狀如何均可進行測量(但是,大于20mmφ且具有平坦的表面)?

測量范圍

[電阻] 1m至200Ω? cm
(*所有探頭類型的總量程/厚度500um)
[ 抗剪強度] 10m至3kΩ / sq
(*所有探頭類型的總量程)

 

*有關(guān)每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內(nèi)容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至0.05Ω-cm)
(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
(5)太陽能晶片:5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)



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